半导体硅片传输过程用日本Air Liquid PPB微量氧分析仪进行实时监控
半导体级单晶硅片的制备是芯片制造加工的**步，单晶硅生长炉(单晶炉)和切割、研磨、抛光等加工设备是硅片制造的主要设备。硅是制造芯片的主要半导体材料。加入少量杂质就可以很容易地变成高质量的导体或绝缘体，硅是地壳中**丰富的元素。普通的沙子含硅量很高。为了利用硅作为半导体的优势，应该将天然二氧化硅精炼成非常纯的硅材料。在获得纯硅后，可以通过一系列方式对其进行处理，*终加工成硅片供半导体制造商使用。半导体硅片传输过程用日本Air Liquid PPB微量氧分析仪进行实时监控
硅片传输过程中，在升降舟前后(进入和离开反应室)，会受到设备内部气氛中氧分子的影响，导致不必要的氧化层生成，导致硅片质量下降，甚至报废。因此，通常需要采用氧气(O2)分析仪和气体质量流量控制器来闭环控制和降低设备内部气氛中的氧气含量。同时，为了避免微氧控制过程中气氛压力超过**范围，一般采用基于PLC的闭环控制模型来控制气氛压力，以保证压力系统在良好的微氧控制下可靠运行。
氧的微量控制是半导体竖炉、氧化炉、扩散炉和退火/推进设备的关键性能指标。上海高川公司的SenzTx/Microx氧分析仪采用螺纹或法兰安装，量程为1ppm-25%，响应快，精度高，长期稳定性好，使用寿命长，特别适用于半导体氧化/退火炉。目前已被国内各大半导体设备厂商批量使用，是一款可靠有效的产品。半导体硅片传输过程用日本Air Liquid PPB微量氧分析仪进行实时监控
日本Air Liquid液化空气公司的ppb级微量氧分析仪为半导体行业设备微氧检测保驾护航。日本液空氧气公司*近开发了一种zui小检测灵敏度达0.5ppb的超高灵敏度超微量氧分析仪,从1990年4月开始销售。它是为适应近年来在半导体工业中对高纯气日益增长的需要而开发的。估计,它将使半导体、药品和新陶瓷等工业的气体用户和气体生产厂中的质量管理大幅度提高。该分析仪可测定氮,氩、氦和氢中的微量氧,其*小检测灵敏度由以往产品的50ppb大幅度提高到0.5ppb.半导体硅片传输过程用日本Air Liquid PPB微量氧分析仪进行实时监控
日本Air Liquid Mx1-A ppt微量氧分析仪技术参数：
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样品气体
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N2, Ar, He, H2, Ne, etc.
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操作范围
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0-1ppb～0-1000ppb, 用户自行设定
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进气口尺寸（样品气和零气）
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3.18mm VCR 公头
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液空公司还有一款0.5ppb的微量氧分析仪测试范围0-10ppb,更多半导体硅片传输过程用日本Air Liquid PPB微量氧分析仪进行实时监控信息请直接致电埃登威上海公司13482246053
