化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后ADEV微量氧分析仪水分析仪应用
化学气相沉积(CVD)是生产高质量固体薄膜和涂层的有力技术。虽然在现代工业中已经广泛使用，但由于适应了新材料，所以还在发展。如今，通过**制造2D材料的无机膜和可以共形沉积在各种基底上的高纯度聚合物膜，CVD合成技术被推向了一个新的高度。
原理:将两种或两种以上的气态原料引入一个反应室，然后它们相互反应形成一种新的材料，沉积在基底表面。反应物主要是金属氯化物，它首先被加热到一定温度以达到足够高的蒸汽压，然后与载气(通常是Ar或H2)一起被送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就会被有机金属化合物取代。在反应器中，涂层材料或者用金属丝悬挂，放置在平面上，或者沉入粉末流化床中，或者本身就是流化床中的颗粒。当发生在化学反应器中时，产物会沉积在涂层材料表面，废气多为HCl或HF，导致碱吸收或冷阱。除了需要获得的固体沉积物，化学反应的产物必须是气体沉积物，它们的饱和蒸汽压要足够低，以使它们在整个反应和沉积过程中保持在加热的基底上。反应过程:1。反应气体扩散到衬底表面；2.反应气体被吸附在衬底表面；3.表面发生化学反应、表面运动、成核和薄膜生长；4.产品从表面解吸；5.产品在表面扩散。选择的化学反应通常应满足以下要求:①反应物质在室温或不太高的温度下应为气态，或具有高蒸汽压和高纯度；②通过沉积反应可以形成所需的材料沉积层；③反应在沉积温度下容易控制，反应物必须有足够高的蒸气压。
化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后ADEV微量氧分析仪水分析仪应用
因为CVD中使用的原料大多是特殊气体，比较危险，所以需要对这些气体使用特殊的气体系统。沉积的氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子。它是由硅烷和氮气反应形成的，而硅烷(SiH4)是一种剧毒的特殊气体，在室温下可以点燃，在空气或卤素气体中会发生爆炸燃烧。因此，需要使用专用的气柜来保证硅烷的**使用。
化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后往往需要监控微量氧和微量水含量，这时候可以使用ADEV的在线微量氧分析仪和微量水分析仪，
ADVE在线微量氧分析仪G1501技术特点：
■快速响应和恢复时间
■**、直接且易于使用的用户界面
■前面板传感器入口
■校准气体的能力
■紧凑简单的外形化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后ADEV微量氧分析仪水分析仪应用
■改进的温度指数
■不受流量变化的影响。
■不需要零点气体和辅助气体。
■不受碳氢化合物和其他氧化气体的影响。
■ RFI保护
■免维护。
■节约成本
■液晶数字显示器
■ RS232双向通信
ADVE在线微量氧分析仪G1501技术参数
测试范围范围：0-10ppm、0-100ppm和0-1000ppm，0-1%，0-25%的范围。
空气校准范围:0-25%
可选范围:0-1ppm
*小分辨率范围的0.5%或50ppb化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后ADEV微量氧分析仪水分析仪应用
恒温下重复精度为满量程的1%(对于小于10ppm的范围，重复精度为满量程的3%)
工作温度32华氏度-113华氏度(0 -45摄氏度)
日温度指数为32 ℉ -113 ℉ (0 -45℃)，小于测量范围的3°。
90%响应时间100ppm-25%小于10秒
警报(标准)2个触点，氧气浓度完全可调
c形继电器触点3A，100伏
故障固态继电器触点3A，100伏
双路输出信号0-1VDC和隔离4-20mA
100/117/230伏交流电10% 50/60赫兹电源
ADEV在线微量水分析仪技术参数：
0-10/100/1000ppm/1%
4-20mA模拟输出
220V或24V可选
氧化铝工作原理
更多化学气相沉积室中的清洁过程中用高纯氮吹扫后ADEV微量氧分析仪水分析仪应用信息请直接致电埃登威上海公司13482246053
