使用氮气吹洗硅片ADEV便携式微量氧分析仪检测N2纯度
硅片可分为单晶硅片和多晶硅片。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅，提一嘴：多晶硅可作为生产单晶硅的原料。硅片的准各过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。
期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，*终在10级净空房内完成。
在电子工业中，使用氮气吹洗硅片可以保持硅片的干燥和清洁，确保其质量和性能。在这个过程中，需要测量ppm级氧含量以确保气体质量的纯度。此时可以使用电化学微量氧分析仪。使用氮气吹洗硅片ADEV便携式微量氧分析仪检测N2纯度
ADEV电化学微量氧分析仪是一种基于电化学原理的仪器，可以用于测量样品中的氧含量。在硅片氮气吹扫过程中，通过催化剂将氧还原成水，并测量反应产生的电流来计算氧含量，从而确定气体的纯度。
以下是使用电化学微量氧分析仪测量PPM级氧含量时的主要注意事项：
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样品准备：在测量之前必须确保样品中没有其他杂质和氧化物等有害成分，并且样品应干燥以避免水分对测量结果的影响。
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催化剂选择：催化剂的选择与测量结果的准确性直接相关。需要根据不同的反应条件和需求选择合适的催化剂。在硅片氮气吹扫中，常使用铂作为催化剂。
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仪器操作：在使用电化学微量氧分析仪时需要操作仪器，包括设定参数、校准和数据处理等。在使用仪器前必须了解仪器的使用说明，并按照说明进行操作。
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**措施：对于具有易燃性和毒性的样品和催化剂，必须采取必要的**措施来保护实验人员和设备。
ADEV便携式微量氧分析仪
型号：G9600
简单介绍使用氮气吹洗硅片ADEV便携式微量氧分析仪检测N2纯度
G9600微量氧分析仪技术规格:
精度：<1%满量程
*范围： 0-1,0-10,0-100，0-1000ppm 1%，或25%自动切换
应用：对惰性气体，碳氢气体，He，H2，CO2中的氧含量进行10ppb-10000ppm分析。
*储存：具有数据储存功能，可存储10000个数据
*输出：RS485
标定：使用浓度大约为80%量程或更高的经过认证的标准气体
补偿：温度
接口：1/8”接头
控制：旁边不锈钢开关键，正面功能键，屏幕开关键。
外观：155*300*340
流量影响：0.25-2.5 L/M,推荐流量:1 L/M
压力：0.2-1公斤；排空-大气压使用氮气吹洗硅片ADEV便携式微量氧分析仪检测N2纯度
电源：可充电电池，单电池可持续60天，开泵1天（内置泵为可选部件）
恢复时间：在空气中暴露60秒钟，用氮气恢复至10ppm的时间为20分钟
响应时间：90%满量程为10秒
采样系统：流量控和样气/旁四通阀，流量指示
灵敏度：<0.5%满量程
传感器型号：S8201，免维护
传感器寿命：24个月，25℃，平均O2<100 ppm
温度范围：0-45℃
质保期：12个月
样气接触部分：不锈钢
综上所述，ADEV电化学微量氧分析仪是一种可靠、高精度的测量方法，可以用于测量硅片氮气吹扫过程中ppm级氧含量。在使用电化学微量氧分析仪时需特别注意样品准备、催化剂选择、仪器操作和**措施等方面。这些措施将有助于确保测量结果的精度和稳定性，从而为电子工业提供帮助。
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