氩气中氧含量高对拉晶的影响及ADEV氧分析仪的应用
在单晶硅的制备过程中，氩气作为保护气体被广泛应用。然而，氩气中的氧含量问题对拉晶过程产生了一定的影响。本文将重点探讨氩气中氧含量高对拉晶的影响，以及ADEV氧分析仪在解决这一问题中的应用。
首先，让我们深入了解氩气中氧含量高对拉晶的具体影响。氩气中氧含量高对拉晶的影响及ADEV氧分析仪的应用
一、氩气中氧含量对拉晶的影响
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硅片电化学性能的变化：氧在硅片中主要以氧团簇和氧沉淀的形式存在。这些氧团簇和氧沉淀会导致硅片的电阻率发生变化，从而影响其电学性能。对于N型样品，氧的存在会导致电阻率下降；而对于P型样品，氧的存在会导致电阻率增加。这些变化会影响硅片的径向电阻率的均匀性，使得电阻率热稳定性变差，*终影响到成品率。
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少数载流子寿命的降低：氧与硅中的载流子相互作用，可能通过与空位结合形成微缺陷，从而影响载流子的传输和寿命。这对于微电子集成电路和功率半导体器件的性能来说，具有重要的影响。氩气中氧含量高对拉晶的影响及ADEV氧分析仪的应用
二、ADEV氧分析仪的应用
ADEV便携式微量氧含量分析仪G9600是专门设计用于检测高纯气体或混合气体中的微量氧气浓度含量的仪器。它可以应用于对惰性气体、碳氢气体、He、H2、CO2中的氧含量进行10ppb-10000ppm的分析。G9600微量氧分析仪具有以下特点：
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高精度测量：其精度达到了<1%满量程，确保了测量结果的准确性。
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数据储存功能：可存储10000个数据，方便用户对数据进行管理和分析。
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中英文界面：提供中英文界面选择，适应不同用户的需求。
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多种输出方式：包括RS485输出，方便与其他设备进行数据传输。
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快速恢复时间：在空气中暴露60秒钟后，用氮气恢复至10ppm的时间仅需20分钟，确保了连续测量的能力。
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响应时间快：90%满量程的响应时间为10秒，能够迅速捕捉到氧气浓度的变化。
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长寿命传感器：传感器寿命长达24个月，为长时间连续测量提供了保障。
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温度范围广：可在0-45℃的温度范围内进行测量，适应各种环境条件。
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内置泵选项：可选内置泵，方便样气的抽取和测量。氩气中氧含量高对拉晶的影响及ADEV氧分析仪的应用
三、结论
氩气中氧含量过高对拉晶过程产生了不可忽视的影响，从电化学性能的变化到少数载流子寿命的降低，都直接关系到产品的质量和性能。而ADEV氧分析仪G9600的应用为解决这一问题提供了有效的工具。通过准确测量氩气中的氧气浓度，及时调整工艺参数，可以确保硅片的电学性能和成品率达到*佳状态。随着科技的不断发展，相信ADEV氧分析仪在未来的单晶硅制备过程中将发挥更加重要的作用。
氩气中氧含量高对拉晶的影响及ADEV氧分析仪的应用
