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日本AMAYA天谷制作所 半导体单晶圆大气压CVD系统A200V型

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产品名称: 日本AMAYA天谷制作所 半导体单晶圆大气压CVD系统A200V型
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简单介绍

采用面朝下系统的高性能单晶圆大气压CVD系统A200V型膜厚均匀度在±2%以内粒子生成抑制紧凑的设备配置良好的步进覆盖率适用于低温工艺提高可维护性提高**性特征在这种方法中,晶圆在封闭的腔室中加热,同时保持晶圆,上部卡盘朝向下部,工艺气体从底部的分散头吹起以形成薄膜。 卡盘提高了晶圆内温度均匀性,并提供了出色的膜厚均匀性,同时防止气体缠绕在晶圆底部,防止背面沉积,并防止颗粒粘附在晶圆上并进入腔室。


日本AMAYA天谷制作所 半导体单晶圆大气压CVD系统A200V型  的详细介绍

产品信息

采用面朝下系统的高性能单晶圆大气压CVD系统

A200V型

  • 膜厚均匀度在±2%以内

  • 粒子生成抑制

  • 紧凑的设备配置

  • 良好的步进覆盖率

  • 适用于低温工艺

  • 提高可维护性

  • 提高**性

图片关键词

特征

  • 在这种方法中,晶圆在封闭的腔室中加热,同时保持晶圆,上部卡盘朝向下部,工艺气体从底部的分散头吹起以形成薄膜。 卡盘提高了晶圆内温度均匀性,并提供了出色的膜厚均匀性,同时防止气体缠绕在晶圆底部,防止背面沉积,并防止颗粒粘附在晶圆上并进入腔室。

  • 设备尺寸已尽可能紧凑,以*大限度地减少占地面积。

  • 使用密闭腔室可避免气体泄漏的发生,提高工人的**性。

性能

涂层厚度均匀性≦±2%
支持的晶圆尺寸≦8寸
气体种类SiH4、O2、PH3、B2H6N2(TEOS、TEB、TMOPO3可选)
沉积温度300°C~450°C
生产力20 张/小时(500 nm 沉积时)

主要技术指标

设备尺寸890mm(宽) x 2300mm(深) x 2250mm(高)
加热机制电阻加热
装卸双滑块,机器人CtoC运输
分散头(气体喷嘴)



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