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日本AMAYA天谷制作所株式会社半导体单晶圆器A200V

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产品名称: 日本AMAYA天谷制作所株式会社半导体单晶圆器A200V
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简单介绍

日本AMAYA天谷制作所株式会社半导体单晶圆器A200V采用面朝下法的高性能单晶圆常压CVD装置A200V薄膜厚度均匀度在±2%以内抑制粒子生成紧凑的设备配置良好的阶跃覆盖率低温工艺支持提高可维护性提高**性特征在这种方法中,晶圆沉积表面被上卡盘夹住,晶圆朝向底部,工艺气体从底部的分散头吹出形成薄膜。 卡盘提高了晶圆内温度均匀性,并提供出色的厚度均匀性,同时防止气体包围晶圆背面,防止背面沉积并防止


日本AMAYA天谷制作所株式会社半导体单晶圆器A200V  的详细介绍

日本AMAYA天谷制作所株式会社

半导体单晶圆器A200V

产品信息

采用面朝下法的高性能单晶圆常压CVD装置

A200V

  • 薄膜厚度均匀度在±2%以内

  • 抑制粒子生成

  • 紧凑的设备配置

  • 良好的阶跃覆盖率

  • 低温工艺支持

  • 提高可维护性

  • 提高**性

图片关键词

特征

  • 在这种方法中,晶圆沉积表面被上卡盘夹住,晶圆朝向底部,工艺气体从底部的分散头吹出形成薄膜。 卡盘提高了晶圆内温度均匀性,并提供出色的厚度均匀性,同时防止气体包围晶圆背面,防止背面沉积并防止颗粒粘附在晶圆上并进入腔室。

  • 设备尺寸已尽可能紧凑,以*大程度地减少占用空间。

  • 使用封闭腔室可消除气体泄漏并提高操作员的**性。

性能

均匀的薄膜厚度≦±2%
支持的晶圆尺寸≦8英寸
气体种类SiH4, O 2, PH 3, B 2 H6, N 2TEOS, TEB, TMOP,O3可选)
薄膜沉积温度300°C~450°C
生产力20张/小时(500nm成膜)

主要规格

设备尺寸890毫米(宽) x 2300毫米(深) x 2250毫米(高)
加热机构电阻加热
装载卸载双滑块,机器人CtoC运输
分散头(气体喷嘴)


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